典型应用
 
各种器件的I-V功能测试和特征分析，包括：
 
分立和无源元件
– 两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头北京11选5、金属 氧化物可变电阻（MOV）北京11选5、二极管、齐纳二极 管、电容、热敏电阻
– 三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）场效应晶体管（FET），等等
简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感 器、转换器、稳压器
集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI） – 模拟IC
– 射频集成电路（RFIC）
– 专用集成电路（ASIC）
– 片上系统（SOC）器件
光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器 （VCSEL）、显示器
圆片级可靠性
– NBTI、TDDB、HCI、电迁移
太阳能电池
电池
更多…
 
一北京11选5、       通用设置      
1.     NPLC     
2.     接线方式（2、4线制）     
3.     自动调零
4.     滤波
二、       单阶恒流输出测量（BiasIMeasureV-Single） 
三北京11选5、       单阶恒压输出测量（BiasVMeasureI-Single） 
四、       多阶恒流输出测量（BiasIMeasureV-Steps）  
五、       多阶恒压输出测量（BiasVMeasureI-Steps）  
六、       分段电流扫描（SweepIMeasureV-Section）   
七、       分段电压扫描（SweepVMeasureI-Section）   
八、       连续电流扫描测量（SweepIMeasureV-Continuity）     
九、       连续电压扫描测量（SweepVMeasureI-Continuity）     
十北京11选5、       双通道电流同步扫描（Dual-SweepIMeasureV）   
十一、    双通道电压同步扫描（Dual-SweepVMeasureI）   
十二北京11选5、    波形输出-正弦波（Wave-Sine）     
十三北京11选5、    波形输出-方波（Wave-Square）     
十四北京11选5、    电化学-循环伏安（Cyclic voltammetry）测量
十五、    电化学-多电流跃阶测量（Multi-Current Steps）   
十六北京11选5、    电化学-多电位跃阶测量（Multi-Potenital Steps） 
十七、    太阳能电池IV特性测量（Solar Cell IV） 
十八、    双通道恒流恒压测量（Dual Channel IV）-     
十九北京11选5、    直流FET-转移曲线测量（DC-FET-Transfer） 
二十、    直流FET-输出曲线测量（DC-FET-Output）  
二十一、       脉冲FET-转移曲线测量（Pulse-FET-Transfer）    
二十二、       脉冲FET-输出曲线测量（Pulse-FET-Output）      
二十三、       直流FET栅极方波曲线测量（DC- FET- Gate- Square Wave）   
二十四北京11选5、       流FET漏极方波曲线测量（DC- FET- Drain- Square Wave）       

案例文章